事業内容:ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発
設立:2022年8月8日
所在地:東京都新宿区西早稲田一丁目22番3号
代表取締役CEO:藤嶌 辰也
URL:https://www.powerdiamondsys.com/
E-mail:info@powerdiamondsys.com
PDS社は、ダイヤモンド半導体デバイス研究における第一人者である、早稲田大学理工学学術院の川原田洋教授が1994年に発明した最初の重要技術である水素終端チャネル形成技術(早稲田独自方式)、2020年発明の酸化シリコン終端チャネル形成技術、世界初の縦型ダイヤモンドトランジスタ作製技術などの要素技術を基盤として、パワーデバイス/高周波・高出力デバイスや、それらを用いた相補型パワーインバータなどのシステムの研究開発を行うファブレスのスタートアップです。
ダイヤモンド半導体は、現存するパワー・高周波デバイス材料の中で、多くの物性値でトップクラスであるだけでなく、構成元素が身の回りに豊富にあり原料調達が比較的容易であることから、将来の人類を支える材料となり得るポテンシャルを持っています。このダイヤモンド半導体デバイスや相補型パワーインバータなどが実現すれば、電気自動車の急速充電システムや高効率再生エネルギーシステムを始めとする次世代パワーエレクトロニクス分野での活躍が期待できます。
PDS社は、早稲田大学が有する半導体プロセス設備を最大限活用し、ファブレスでのビジネスを展開します。また、国内外の大手半導体メーカーなどとの協業を推進し、日本発、早稲田発の技術をもとに、新たなダイヤモンド半導体市場を開拓していきます。さらに、国内外の研究者と連携し、ダイヤモンド半導体分野の学術発展にも貢献していきます。
世界初のダイヤモンドトランジスタの商用化を目指すために、WUVではPDS社の創設から支援を行い、CEOにローム株式会社やマサチューセッツ工科大学(MIT)で半導体デバイスの研究開発経験を持つ藤嶌辰也氏を招き、共同創業チームを組成することができました。藤嶌氏は半導体デバイスに精通するだけでなく、A.T.カーニー株式会社や、AIスタートアップでのビジネス経験も豊富に有しております。
ダイヤモンド半導体の社会実装を通じ、持続可能なエネルギー社会の実現に寄与していきます。
藤嶌 辰也 博士 CEO(最高経営責任者)& Founder
ローム株式会社を経て、マサチューセッツ工科大学(MIT)Tomás Palacios Lab.にてGaN(窒化ガリウム)系半導体デバイス、半導体物性、デバイス・物性評価に関する研究に従事。2013年より、A.T.カーニー株式会社に参画。株式会社三菱総合研究所、デロイトトーマツベンチャーサポート株式会社を経て、2020年より、AIスタートアップに執行役員CSO (最高戦略責任者)として参画。2022年8月より現職。
早稲田大学理工学術院名誉教授 川原田 洋 博士
株式会社日立製作所、大阪大学工学部/助手、早稲田大学理工学部/助教授を経て、現職。多くの国プロでダイヤモンド半導体デバイスに関する研究プロジェクトを実施。文部科学大臣表彰科学技術賞、超伝導科学技術賞、応用物理学会フェロー賞等、ダイヤモンド半導体デバイスに関する研究成果で受賞。現在主流となっているダイヤモンド電界効果トランジスタ(早稲田独自方式)を開発(1994年)。
2026年
3月18日 New!
早大発スタートアップ、ダイヤモンド基板の電圧調整用半導体開発(日本経済新聞)
ダイヤモンドMOSFETを用いたDC-DCコンの動作を実証(EE Times Japan)
2026年3月12日 New!
早大発新興PDS、ダイヤモンド半導体を高性能化 実用化に弾み (日本経済新聞)
2025年
2025年12月18日
2025年7月23日
ダイヤモンド半導体、早大新興がJAXAと実証 宇宙・航空向け(日本経済新聞)
2025年6月4日
2025年4月10日
PDS、ダイヤ半導体を事業化へ 近々サンプル提供(化学工業新聞)
2024年
2024年11月26日
Power Diamond Systems資金調達実施のお知らせ (PR Times)
早稲田大新興PDS、7億円調達 ダイヤモンド半導体開発 (日本経済新聞)
2024年8月22日
実用化が間近に迫る! ダイヤモンド半導体が今、注目される理由 (EMIRA)
2024年2月7日:
2024年1月9日:
ダイヤモンド半導体、25年に実用へ 積年の課題が解決 (NIKKEI Tech Foresight)
2023年
2023年12月28日:
早大発新興、「ダイヤモンド半導体」の通電能力向上 (日本経済新聞)
ダイヤモンドMOSFET相補型パワーインバーター開発へ (EE Times Japan)
2023年12月22日:
2023年12月17日:
早大とPDSがダイヤモンドMOSFET開発、ノーマリーオフ動作実現 (ニュースイッチ)
2023年12月14日:
早大とPDS、ダイヤモンドMOSFET開発 ノーマリーオフ動作実現 (日刊工業新聞)
2023年12月13日:
酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発〜 半導体デバイス/プロセス技術に関する世界最大の国際学会IEDMで発表 〜 (PDS社プレスリリース)
川原田 洋 教授「国際電子デ バイス会議(IEEE International Electron Device Meeting; IEDM)で発表 (早稲田大学)
ダイヤモンド半導体の安全性向上 早大発新興が開発 (日本経済新聞)
2023年9月1日:
2023年8月10日:(PDS社)
2023年8月1日:(PDS社)
ダイヤモンド半導体の社会実装に向け、北九州学術研究都市に研究開発拠点(北九州R&Dセンター)を開設しました(プレスリリース)
北九州学術研究都市に研究拠点開設! ~究極の半導体といわれるダイヤモンド半導体を研究~ 「株式会社Power Diamond Systems」 (北九州市)
2023年6月15日:(PDS社)
2023年3月15日:
2023年1月24日(PDS社)
2023年1月10日(PDS社)
2022年12月1日(PDS社)
2022年11月2日 (PDS社)